空心阴极等离子体源具有 CCP 的均匀性与 ICP 的高密度双重优势。整机全金属构造，无氧气析出、带电离子占比低，适配非氧薄膜半导体工艺，低污染、作业效率优异。整套设备适配 ALD 系统，可依据工艺工况按需选用对应规格，稳定产出高品质等离子体，满足半导体薄膜沉积工艺需求。空心阴极等离子体源可根据客户需求，最大直径可扩展到380mm-800mm。

空心阴极等离子体源具有 CCP 的均匀性与 ICP 的高密度双重优势。整机全金属构造，无氧气析出、带电离子占比低，适配非氧薄膜半导体工艺，低污染、作业效率优异。整套设备适配 ALD 系统，可依据工艺工况按需选用对应规格，稳定产出高品质等离子体，满足半导体薄膜沉积工艺需求。空心阴极等离子体源可根据客户需求，最大直径可扩展到380mm-800mm。