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HC等离子体源

MY-HCF50

MY-HCF50
HC等离子体源
MY-HCF50等离子体源兼具CCP等离子体源均匀性和ICP等离子体源高密度。该等离子体源全金属设计,无氧污染,带电离子成份少,在非氧薄膜半导体领域具有低氧污染,效率高等优点,广泛应用于ALD系统中。
2024-09-25 08:28
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产品详情

关键技术指标

  • 电源频率:13.56MHz(自动匹配)
  • 功率:0 — 300W
  • 气体:几乎所有工艺气体
  • 气压: 0.5 Pa to 1500 Pa
  • 冷却方式:水冷
  • 源体形状:圆形
  • 阴极材料:不锈钢、铝、钨、钼等可选
  • 安装方式:CF50标准法兰
  • 低氧污染(无介电窗口)
  • 高电子密度 — 与电感耦合等离子体源相似
  • 高均匀性 — 与电容耦合等离子体源相似
  • 等离子体损伤小
  • 提供定制解决方案