产品概述 
空心阴极等离子体源具有 CCP 的均匀性与 ICP 的高密度双重优势。整机全金属构造，无氧气析出、带电离子占比低，适配非氧薄膜半导体工艺，低污染、作业效率优异。整套设备适配 ALD 系统，可依据工艺工况按需选用对应规格，稳定产出高品质等离子体，满足半导体薄膜沉积工艺需求。空心阴极等离子体源可根据客户需求，最大直径可扩展到 380mm-800mm。

 特性与优势 
• 高密度和高均匀性：利用空心阴极效应，通过电子在腔体内的往复运动高效电离气体，可实现接近 10¹¹cm⁻³的高密度等离子体，且大面积均匀性好。 
• 低污染与长寿命：全金属化设计，无需石英等介质窗口，从根本上避免了窗口污染和损耗问题，结构坚固、寿命长。 
• 宽范围工艺窗口与气体兼容性：工作气压范围宽，且兼容几乎所有工艺气体（包括活性、腐蚀性气体）。 
• 低等离子体损伤：能在较低功率下维持稳定的冷等离子体，尤其在使用氩、氖等惰性气体时，气体 
温度低，对温度敏感的材料处理更友好。