详细技术指标:
| 材料纯度 | ≥99.97% 钼(Mo) |
| 晶粒尺寸 | ≤10 μm |
| 密度 | ≥10.2 g/cm³ |
| 栅网厚度 | 0.4mm |
| 孔径大小 | 0.5—2.0 mm(多级栅网需分层设计) |
| 开孔率 | ≥60% |
| 平面度 | ≤0.01 mm/m² |
| 工作温度范围 | 1200—1800°C(长期稳定) |
| 热膨胀系数 | 5.2×10-6/°C(20~1000°C) |
| 热导率 | ≥138 W/(m·K)(@25°C) |
| 抗拉强度 | ≥500 MPa |
| 显微硬度 | 200—250 HV(维氏硬度) |
| 抗热震性 | 承受≥100次 室温↔1500°C循环 |
| 电子逸出功 | 4.2—4.6 eV |