详细技术指标：

• 材料：高纯钼（离子束栅网专用）
• 栅网类型：发散三栅网
• 引出电压：≤1000V
• 引出束流强度：≥300mA
• 引出束流直径：160mm
• I_acc/I_beam：≤5%
• 工作温度：0-1400℃
• 使用寿命：≥3000小时(连续工作)
• 稳定度：≤1‰
• 兼容性：兼容进口离子源