近日，四川墨塬科技有限责任公司（以下简称“墨塬科技”）宣布成功自主研发新一代空心阴极等离子体源（Hollow Cathode Plasma Source），核心部件实现全国产化替代，标志着我国在高端等离子体技术领域取得重大突破。该技术可应用于半导体制造、航天推进、新材料合成等高科技产业，打破国外长期垄断局面。

核心技术突破，性能国际领先

空心阴极等离子体源是一种高密度、低功耗的等离子体发生装置，对精密镀膜、芯片蚀刻、卫星电推进系统等关键工艺至关重要。长期以来，该技术被欧美少数企业垄断，进口成本高昂且供应受限。墨塬科技通过三年攻关，成功解决了阴极材料寿命、等离子体稳定性等核心难题，其研发的空心阴极等离子体源具备以下优势：

• 高能量效率：功耗较传统技术降低30%，适合长时间连续作业。
• 长寿命设计：关键部件寿命超1万小时，远超国内同类产品。
• 精准可控：等离子体密度和温度可实现纳米级工艺调控，满足半导体高端需求。
• 等离子体：兼具CCP放电的均匀性和ICP放电的高密度。
   

图1：MY-HCF50氮气放电图

应用前景广阔，助力产业升级

墨塬科技陈经理表示：“此次技术突破不仅填补了国内空白，还为下游产业提供了国产化替代方案。”据悉，该技术已通过3家行业龙头企业的性能测试，预计将率先应用于半导体设备和航天电推进系统领域。未来还可拓展至柔性显示面板镀膜、医疗器械表面处理等市场，潜在市场规模超百亿元。

产学研协同创新，推动国产化进程

墨塬科技依托四川大学、电子科技大学等高校科研力量，联合组建专项团队，形成了从理论设计到工艺落地的完整技术链。公司计划在2025年建成首条量产线，进一步推动空心阴极等离子体源的批量化生产。

关于墨塬科技
四川墨塬科技有限责任公司成立于2023年，专注于离子源/等离子体源技术及高端装备研发，已获多项国家专利。此次空心阴极等离子体源的成功研发，彰显了墨塬科技在尖端科技领域的自主创新能力。

媒体联系
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